低剂量SIMOX圆片研究
저제량SIMOX원편연구
Study of Low Dose SIMOX Wafer
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2001年 8期 1019-1024 ,共6页

    陈猛%陈静%郑望%李林%牟海川%林梓鑫%俞跃辉%王曦

    진맹%진정%정망%리림%모해천%림재흠%유약휘%왕희

    低剂量%硅岛密度%Si/SiO2界面%线缺陷密度 低劑量%硅島密度%Si/SiO2界麵%線缺陷密度
    저제량%규도밀도%Si/SiO2계면%선결함밀도
    用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征．结果显示，选择恰当的剂量能量窗口，低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅/二氧化硅界面陡峭．这些研究表明，低剂量SIMOX圆片制备是很有前途的SOI制备工艺．
    용이차리자질보、부면투사전경、고분변전경이급화학증강부식법표정료저제량SIMOX원편적결구특정．결과현시，선택흡당적제량능량창구，저제량SIMOX원편표층Si단정질량호、선결함밀도저매층후도균균、매층규도밀도저차규/이양화규계면두초．저사연구표명，저제량SIMOX원편제비시흔유전도적SOI제비공예．
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