Si上Si1-x-yGexCy三元合金薄膜的生长
Si상Si1-x-yGexCy삼원합금박막적생장
Growth of Si1-x-yGexCy Ternary Alloy on Si Substrate
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2000年 4期 414-418 ,共5页

    朱顺明%江宁%臧岚%韩平%刘夏冰%程雪梅%江若琏%郑有炓%胡晓宁%方家熊

    주순명%강저%장람%한평%류하빙%정설매%강약련%정유료%호효저%방가웅

    快速加热超低压化学气相淀积%非平衡生长%代位式 快速加熱超低壓化學氣相澱積%非平衡生長%代位式
    쾌속가열초저압화학기상정적%비평형생장%대위식
    研究了Si衬底上SiGeC合金薄膜的生长.以C2H4为C源、采用快速加热超低压化学气相淀积(RTP/VLP-CVD)的非平衡生长技术,在Si(100)衬底上生长出具有一定代位式C含量的硅基SiGeC合金.实验表明:较低的生长温度和较高的SiH4/C2H4流量比有利于代位式C原子的形成和材料晶体质量的提高.
    연구료Si츤저상SiGeC합금박막적생장.이C2H4위C원、채용쾌속가열초저압화학기상정적(RTP/VLP-CVD)적비평형생장기술,재Si(100)츤저상생장출구유일정대위식C함량적규기SiGeC합금.실험표명:교저적생장온도화교고적SiH4/C2H4류량비유리우대위식C원자적형성화재료정체질량적제고.
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