分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2005年
3期
428-431
,共4页
门洪%邹绍芳%Andrey Legin%王平
門洪%鄒紹芳%Andrey Legin%王平
문홍%추소방%Andrey Legin%왕평
薄膜传感器%光寻址电位传感器%脉冲激光沉积%汞离子敏感
薄膜傳感器%光尋阯電位傳感器%脈遲激光沉積%汞離子敏感
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采用脉冲激光沉积技术,在光寻址电位传感器表面上沉积了对二价汞离子敏感的薄膜,制备了一种新型汞离子选择薄膜传感器,靶材成分为Hg-Ag-I-S,基底为p型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au.该薄膜传感器在3星期内显示了良好的重复性和稳定性;检出限为 3×10-6 mol/L;响应时间小于2 min, 适用pH范围小于2.对干扰离子和迟滞效应等也进行了研究.该传感器具有测量快速灵活、所需样品少、动态范围宽等特点,因为把电位信号转化为对光激发的交流电流信号进行测量,所以提高了灵敏度.同时也证明了脉冲激光沉积是适合制备薄膜传感器的一种新技术.
採用脈遲激光沉積技術,在光尋阯電位傳感器錶麵上沉積瞭對二價汞離子敏感的薄膜,製備瞭一種新型汞離子選擇薄膜傳感器,靶材成分為Hg-Ag-I-S,基底為p型單晶硅片,金屬接觸層為Cr/Au.該薄膜傳感器在3星期內顯示瞭良好的重複性和穩定性;檢齣限為 3×10-6 mol/L;響應時間小于2 min, 適用pH範圍小于2.對榦擾離子和遲滯效應等也進行瞭研究.該傳感器具有測量快速靈活、所需樣品少、動態範圍寬等特點,因為把電位信號轉化為對光激髮的交流電流信號進行測量,所以提高瞭靈敏度.同時也證明瞭脈遲激光沉積是適閤製備薄膜傳感器的一種新技術.
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