RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究
RF-PECVD제비미정규박막적X사선연사연구
Study of XRD on Microcrystalline Silicon Thin Films Prepared by RF-PECVD
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2007年 3期 545-549 ,共5页

    蔡宏琨%张德贤%何青%赵飞%陶科%席强%孙云

    채굉곤%장덕현%하청%조비%도과%석강%손운

    X射线衍射(XRD)%氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜%氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜%晶粒尺寸 X射線衍射(XRD)%氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜%氫化微晶硅(μc-Si:H)薄膜%晶粒呎吋
    X사선연사(XRD)%경화비정규(a-Si:H)박막%경화미정규(μc-Si:H)박막%정립척촌
    采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究.改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的.根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大.
    채용X사선연사(XRD)기술련속소묘법화박막연사법대RF-PECVD제비적미정규박막결구진행료연구.개변규완농도화반응공솔,공제박막적생장속솔,이체도제비불동재료적목적.근거규기박막적전학특성화XRD측시,수착반응공솔적증가,규기박막적생장속솔불단제고,미정규박막적정화정도불단증대.
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