红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2010年
4期
702-705
,共4页
隋成华%徐天宁%郑东%蔡霞%夏娟%原子健
隋成華%徐天寧%鄭東%蔡霞%夏娟%原子健
수성화%서천저%정동%채하%하연%원자건
p-型导电%ZnO薄膜%Ag2O%反应电子束蒸发
p-型導電%ZnO薄膜%Ag2O%反應電子束蒸髮
p-형도전%ZnO박막%Ag2O%반응전자속증발
p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注.采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO:Ag薄膜,生长温度范围从150～250℃.研究表明:在该温度范围生长的ZnO:Ag薄膜具有n-型导电特征,但通过退火可以实现p-型导电.当退火温度为300℃时,ZnO:Ag薄膜的空穴浓度为2.8×1016cm-3,电阻率为1.0 kΩ·cm,空穴的迁移率为0.22 cm2/V·s.当在350℃下进一步退火,薄膜仍为p-型导电,但空穴浓度减小为2.1×1015cm-3,电阻率增大到5.0 kΩ·cm.通过对ZnO:Ag薄膜的X射线衍射谱分析发现,ZnO:Ag电学性质的变化与薄膜中Ag+替代Zn2+的浓度有关.
p-型ZnO材料因在紫外光電器件方麵的潛在應用價值而受到人們的廣汎關註.採用反應電子束蒸髮法在白寶石上生長瞭ZnO:Ag薄膜,生長溫度範圍從150～250℃.研究錶明:在該溫度範圍生長的ZnO:Ag薄膜具有n-型導電特徵,但通過退火可以實現p-型導電.噹退火溫度為300℃時,ZnO:Ag薄膜的空穴濃度為2.8×1016cm-3,電阻率為1.0 kΩ·cm,空穴的遷移率為0.22 cm2/V·s.噹在350℃下進一步退火,薄膜仍為p-型導電,但空穴濃度減小為2.1×1015cm-3,電阻率增大到5.0 kΩ·cm.通過對ZnO:Ag薄膜的X射線衍射譜分析髮現,ZnO:Ag電學性質的變化與薄膜中Ag+替代Zn2+的濃度有關.
p-형ZnO재료인재자외광전기건방면적잠재응용개치이수도인문적엄범관주.채용반응전자속증발법재백보석상생장료ZnO:Ag박막,생장온도범위종150～250℃.연구표명:재해온도범위생장적ZnO:Ag박막구유n-형도전특정,단통과퇴화가이실현p-형도전.당퇴화온도위300℃시,ZnO:Ag박막적공혈농도위2.8×1016cm-3,전조솔위1.0 kΩ·cm,공혈적천이솔위0.22 cm2/V·s.당재350℃하진일보퇴화,박막잉위p-형도전,단공혈농도감소위2.1×1015cm-3,전조솔증대도5.0 kΩ·cm.통과대ZnO:Ag박막적X사선연사보분석발현,ZnO:Ag전학성질적변화여박막중Ag+체대Zn2+적농도유관.
