科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2010年
32期
75-77
,共3页
王建利%牛沈军%兰天平%周春峰%孙强
王建利%牛瀋軍%蘭天平%週春峰%孫彊
왕건리%우침군%란천평%주춘봉%손강
砷化镓%半导体材料%迁移率%能带结构%掺杂剂%载流子浓度%位错密度(EPD)%饱合漂移速度
砷化鎵%半導體材料%遷移率%能帶結構%摻雜劑%載流子濃度%位錯密度(EPD)%飽閤漂移速度
신화가%반도체재료%천이솔%능대결구%참잡제%재류자농도%위착밀도(EPD)%포합표이속도
文章介绍了III-V族化合物半导体材料--砷化镓.从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施.
文章介紹瞭III-V族化閤物半導體材料--砷化鎵.從砷化鎵材料的基本性質、參數齣髮,深入淺齣地討論瞭其相關性質形成的機理,以及與這些性質、參數相對應的有關半導體器件方麵的應用情況,同時指齣瞭為瞭適應器件的需求,如何在製造過程中得到性能參數較為理想的晶體材料而應採取的有關工藝措施.
문장개소료III-V족화합물반도체재료--신화가.종신화가재료적기본성질、삼수출발,심입천출지토론료기상관성질형성적궤리,이급여저사성질、삼수상대응적유관반도체기건방면적응용정황,동시지출료위료괄응기건적수구,여하재제조과정중득도성능삼수교위이상적정체재료이응채취적유관공예조시.
