真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2006年
z1期
32-35
,共4页
丁晓峰%韩东麟%张弓%庄大明
丁曉峰%韓東麟%張弓%莊大明
정효봉%한동린%장궁%장대명
CuiNSe2 薄膜%太阳能电池%固态源硒化%磁控溅射%硒化温度
CuiNSe2 薄膜%太暘能電池%固態源硒化%磁控濺射%硒化溫度
CuiNSe2 박막%태양능전지%고태원서화%자공천사%서화온도
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对CIS薄膜性能的影响.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明,Cu-In薄膜由In和Cu11In9两相组成,在不同的硒化温度下制备的CIS薄膜,均具有单一的黄铜矿CuInSe2相结构.随着硒化温度的升高,CIS薄膜的晶粒直径增大,当硒化温度达到550℃时,晶粒直径已接近于2 μm.硒化温度继续升高,晶粒之间出现孔洞和缝隙等缺陷.530℃的硒化温度下制得的弱p型CIS薄膜,最符合CuInSe2的化学计量比,最适于制备太阳能电池吸收层.
採用中頻交流磁控濺射方法沉積Cu-In薄膜,併採用固態源硒化方法製備CuInSe2(CIS)薄膜,攷察瞭硒化溫度對CIS薄膜性能的影響.採用SEM和EDS觀察和分析瞭它們的錶麵形貌和成分,採用XRD錶徵瞭薄膜的組織結構,採用霍爾測試儀測量瞭薄膜的載流子濃度和霍爾遷移率.結果錶明,Cu-In薄膜由In和Cu11In9兩相組成,在不同的硒化溫度下製備的CIS薄膜,均具有單一的黃銅礦CuInSe2相結構.隨著硒化溫度的升高,CIS薄膜的晶粒直徑增大,噹硒化溫度達到550℃時,晶粒直徑已接近于2 μm.硒化溫度繼續升高,晶粒之間齣現孔洞和縫隙等缺陷.530℃的硒化溫度下製得的弱p型CIS薄膜,最符閤CuInSe2的化學計量比,最適于製備太暘能電池吸收層.
채용중빈교류자공천사방법침적Cu-In박막,병채용고태원서화방법제비CuInSe2(CIS)박막,고찰료서화온도대CIS박막성능적영향.채용SEM화EDS관찰화분석료타문적표면형모화성분,채용XRD표정료박막적조직결구,채용곽이측시의측량료박막적재류자농도화곽이천이솔.결과표명,Cu-In박막유In화Cu11In9량상조성,재불동적서화온도하제비적CIS박막,균구유단일적황동광CuInSe2상결구.수착서화온도적승고,CIS박막적정립직경증대,당서화온도체도550℃시,정립직경이접근우2 μm.서화온도계속승고,정립지간출현공동화봉극등결함.530℃적서화온도하제득적약p형CIS박막,최부합CuInSe2적화학계량비,최괄우제비태양능전지흡수층.
