微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2007年
12期
221-224
,共4页
单粒子翻转%SEU%锁存器%辐射加固%CMOS%设计加固
單粒子翻轉%SEU%鎖存器%輻射加固%CMOS%設計加固
단입자번전%SEU%쇄존기%복사가고%CMOS%설계가고
提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT-A和SEUT-B.SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的.两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要求,所以都可以由小尺寸器件设计完成.提出的结构通过标准的0.18μm工艺设计实现并仿真.仿真结果表明两个电路都是SEU免疫的,而且都要比常规非加固的锁存器节省功耗.和传统的锁存电路相比,SEUT-A只多用了11%的器件数和6%的传输延时,而SEUT-B多用了56%的器件数,但获得了比传统电路快43%的速度.
提齣瞭兩箇抗單粒子翻轉(SEU)的鎖存器電路SEUT-A和SEUT-B.SEU的免疫性是通過將數據存放在不同的節點以及電路的恢複機製達到的.兩箇電路功能的實現都沒有特殊的器件呎吋要求,所以都可以由小呎吋器件設計完成.提齣的結構通過標準的0.18μm工藝設計實現併倣真.倣真結果錶明兩箇電路都是SEU免疫的,而且都要比常規非加固的鎖存器節省功耗.和傳統的鎖存電路相比,SEUT-A隻多用瞭11%的器件數和6%的傳輸延時,而SEUT-B多用瞭56%的器件數,但穫得瞭比傳統電路快43%的速度.
제출료량개항단입자번전(SEU)적쇄존기전로SEUT-A화SEUT-B.SEU적면역성시통과장수거존방재불동적절점이급전로적회복궤제체도적.량개전로공능적실현도몰유특수적기건척촌요구,소이도가이유소척촌기건설계완성.제출적결구통과표준적0.18μm공예설계실현병방진.방진결과표명량개전로도시SEU면역적,이차도요비상규비가고적쇄존기절성공모.화전통적쇄존전로상비,SEUT-A지다용료11%적기건수화6%적전수연시,이SEUT-B다용료56%적기건수,단획득료비전통전로쾌43%적속도.
