人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
2期
516-519
,共4页
文黎巍%周俊敏%苗挂帅%贾瑜%杨仕娥
文黎巍%週俊敏%苗掛帥%賈瑜%楊仕娥
문려외%주준민%묘괘수%가유%양사아
第一性原理%吸附能%结构参数%反应机制
第一性原理%吸附能%結構參數%反應機製
제일성원리%흡부능%결구삼수%반응궤제
用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能.计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3:H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的.
用第一性原理密度汎函理論研究SiH4在Si(001)-(2×1)錶麵的分裂吸附及吸附後的結構、能量和成鍵特性,計算瞭反應物、過渡態及生成物三箇狀態的能量,吸附能和反應能.計算結果錶明:SiH4在Si(001)-(2×1)重構錶麵吸附的可能反應路徑是由于SiH4中Si-H鍵的拉長和二聚體鍵的斷裂導緻的,形成產物Si(001)-(2×1)(SiH3:H);由SiH4分裂的能量勢壘0.78 eV說明所推測的反應路徑是閤理的.
용제일성원리밀도범함이론연구SiH4재Si(001)-(2×1)표면적분렬흡부급흡부후적결구、능량화성건특성,계산료반응물、과도태급생성물삼개상태적능량,흡부능화반응능.계산결과표명:SiH4재Si(001)-(2×1)중구표면흡부적가능반응로경시유우SiH4중Si-H건적랍장화이취체건적단렬도치적,형성산물Si(001)-(2×1)(SiH3:H);유SiH4분렬적능량세루0.78 eV설명소추측적반응로경시합리적.
