微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
246-249,269
,共5页
带隙基准源%曲率补偿%高增益反馈%隔离缓冲
帶隙基準源%麯率補償%高增益反饋%隔離緩遲
대극기준원%곡솔보상%고증익반궤%격리완충
带隙基准源是开关电源的重要组成部分.在对传统带隙基准源电路进行分析的基础上,结合曲率校正技术、高增益反馈技术和缓冲隔离技术,提出了一款应用于开关电源的高电源抑制比、低温漂系数和多基准输出新型基准源电路.基于0.5μm CMOS工艺,对电路进行仿真.结果表明,在-25℃～150℃范围内和典型(TT)工艺角下,设计的基准源温漂系数小于3×10-6/℃,PSRR为-78 dB,可产生3V,1.2 V,1V,0.2V四个基准输出电压.
帶隙基準源是開關電源的重要組成部分.在對傳統帶隙基準源電路進行分析的基礎上,結閤麯率校正技術、高增益反饋技術和緩遲隔離技術,提齣瞭一款應用于開關電源的高電源抑製比、低溫漂繫數和多基準輸齣新型基準源電路.基于0.5μm CMOS工藝,對電路進行倣真.結果錶明,在-25℃～150℃範圍內和典型(TT)工藝角下,設計的基準源溫漂繫數小于3×10-6/℃,PSRR為-78 dB,可產生3V,1.2 V,1V,0.2V四箇基準輸齣電壓.
대극기준원시개관전원적중요조성부분.재대전통대극기준원전로진행분석적기출상,결합곡솔교정기술、고증익반궤기술화완충격리기술,제출료일관응용우개관전원적고전원억제비、저온표계수화다기준수출신형기준원전로.기우0.5μm CMOS공예,대전로진행방진.결과표명,재-25℃～150℃범위내화전형(TT)공예각하,설계적기준원온표계수소우3×10-6/℃,PSRR위-78 dB,가산생3V,1.2 V,1V,0.2V사개기준수출전압.
