缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响
완충층생장압력대MOCVD GaN성능적영향
  • 万方数据
    中国科学E辑 중국과학E집
    SCIENCE IN CHINA (SERIES E)
    2004年 1期 58-63 ,共6页

    陈俊%张书明%张宝顺%朱建军%冯淦%段俐宏%王玉田%杨辉%郑文琛

    진준%장서명%장보순%주건군%풍감%단리굉%왕옥전%양휘%정문침

    GaN MOCVD 在位监测 GaN MOCVD 在位鑑測
    GaN MOCVD 재위감측
    利用自制的在位监测系统, 研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时, GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律. 在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明, 缓冲层生长压力越大, GaN缓冲层退火后成核中心体积越小, 表面粗糙度越大, 高温生长GaN岛间合并延迟. X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明, GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.
    이용자제적재위감측계통, 연구료용금속유궤물화학기상외연법(MOCVD)재람보석츤저상생장GaN시, GaN저온완충층적생장압력대고온생장GaN외연층성능적영향규률. 재위감측곡선급소묘전자현미경(SEM)분석결과표명, 완충층생장압력월대, GaN완충층퇴화후성핵중심체적월소, 표면조조도월대, 고온생장GaN도간합병연지. X사선연사(XRD)화광치발광보(PL)측량결과표명, GaN완충층생장압력증대시외연적GaN결정질량득도개선.
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