东南大学学报（自然科学版）
東南大學學報（自然科學版）
동남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY
2007年
1期
141-143
,共3页
齐齐%王育乔%宋坤忠%王涓%孙岳明
齊齊%王育喬%宋坤忠%王涓%孫嶽明
제제%왕육교%송곤충%왕연%손악명
硅%腐蚀%吸附%势能曲线%Hartree-Fock
硅%腐蝕%吸附%勢能麯線%Hartree-Fock
규%부식%흡부%세능곡선%Hartree-Fock
利用高斯98中的Hartree-Fock(HF)方法研究了OH-与Si(100)面的吸附和脱附作用机理,计算了OH-在Si(100)面三种(顶位,桥位,穴位)典型吸附位的吸附反应势能曲线,在每个吸附位上根据空间位阻最小和最佳成键方向考虑了OH-垂直进攻和倾斜进攻.结果表明: OH-在进攻三种吸附位时的活化能为零,顶位倾斜吸附最稳定,穴位吸附最不稳定.在顶位倾斜吸附位上Si原子被OH-拉出的反应活化能为1.01 eV,整个吸附脱附过程的活化能为3.29 eV.
利用高斯98中的Hartree-Fock(HF)方法研究瞭OH-與Si(100)麵的吸附和脫附作用機理,計算瞭OH-在Si(100)麵三種(頂位,橋位,穴位)典型吸附位的吸附反應勢能麯線,在每箇吸附位上根據空間位阻最小和最佳成鍵方嚮攷慮瞭OH-垂直進攻和傾斜進攻.結果錶明: OH-在進攻三種吸附位時的活化能為零,頂位傾斜吸附最穩定,穴位吸附最不穩定.在頂位傾斜吸附位上Si原子被OH-拉齣的反應活化能為1.01 eV,整箇吸附脫附過程的活化能為3.29 eV.
이용고사98중적Hartree-Fock(HF)방법연구료OH-여Si(100)면적흡부화탈부작용궤리,계산료OH-재Si(100)면삼충(정위,교위,혈위)전형흡부위적흡부반응세능곡선,재매개흡부위상근거공간위조최소화최가성건방향고필료OH-수직진공화경사진공.결과표명: OH-재진공삼충흡부위시적활화능위령,정위경사흡부최은정,혈위흡부최불은정.재정위경사흡부위상Si원자피OH-랍출적반응활화능위1.01 eV,정개흡부탈부과정적활화능위3.29 eV.
