CAJ | 학술논문

采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品.利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响.结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加.当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min.
채용쌍조전화학부식법재p+단정규표면제비다공규층,연후재다공규표면침적형성Pt박막전겁,제비출다공규기민원건양품.이용SEM기술분석다공규적표면형모,연구료부식조건대다공규적공극솔、횡향I-V특성급저농도NO2기민특성적영향.결과표명,다공규적횡향I-V특성표현출비정류적구모접촉;다공규적공극솔급기대저농도NO2적령민도균수부식전류밀도적증대이증가.당부식전류밀도위90 mA/cm2,부식시간위30 min시,소득다공규기민원건대체적분수위200×10-9적NO2적령민도가체도5.25,향응시간여회복시간약분별위14 min여10 min.