真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
5期
470-473
,共4页
任树洋%任忠鸣%任维丽%操光辉
任樹洋%任忠鳴%任維麗%操光輝
임수양%임충명%임유려%조광휘
强磁场%晶粒细化%真空蒸发沉积%薄膜
彊磁場%晶粒細化%真空蒸髮沉積%薄膜
강자장%정립세화%진공증발침적%박막
分别在1T,2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.SEM对薄膜表面形貌研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化作用.对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径r*M和临界形核自由能ΔG*M,引入了磁场对临界形核自由能作用因子fM.对磁场导致晶粒形核能的变化以及形核浓度的影响作了深入分析,r*M和ΔG*M减小从而增加临界形核浓度和形核速率是Zn晶粒细化的原因.另外,磁场对扩散的抑制作用也对晶粒细化起到了作用.
分彆在1T,2T和3T彊磁場下採用真空蒸髮沉積製備瞭三種相同厚度的Zn薄膜,併和無磁場下製備的薄膜進行瞭對比研究.SEM對薄膜錶麵形貌研究髮現,施加磁場製備的Zn薄膜錶麵晶粒要比無磁場條件下製備的薄膜有明顯的細化作用.對磁場下Zn原子糰形成進行瞭熱力學分析,推導瞭磁場作用下的臨界形覈半徑r*M和臨界形覈自由能ΔG*M,引入瞭磁場對臨界形覈自由能作用因子fM.對磁場導緻晶粒形覈能的變化以及形覈濃度的影響作瞭深入分析,r*M和ΔG*M減小從而增加臨界形覈濃度和形覈速率是Zn晶粒細化的原因.另外,磁場對擴散的抑製作用也對晶粒細化起到瞭作用.
분별재1T,2T화3T강자장하채용진공증발침적제비료삼충상동후도적Zn박막,병화무자장하제비적박막진행료대비연구.SEM대박막표면형모연구발현,시가자장제비적Zn박막표면정립요비무자장조건하제비적박막유명현적세화작용.대자장하Zn원자단형성진행료열역학분석,추도료자장작용하적림계형핵반경r*M화림계형핵자유능ΔG*M,인입료자장대림계형핵자유능작용인자fM.대자장도치정립형핵능적변화이급형핵농도적영향작료심입분석,r*M화ΔG*M감소종이증가림계형핵농도화형핵속솔시Zn정립세화적원인.령외,자장대확산적억제작용야대정립세화기도료작용.
