仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2012年
4期
7-9,14
,共4页
史伟莉%薛晨阳%唐建军%王勇%刘俊%张文栋
史偉莉%薛晨暘%唐建軍%王勇%劉俊%張文棟
사위리%설신양%당건군%왕용%류준%장문동
HEMT%GaN%微加速度计%高灵敏度
HEMT%GaN%微加速度計%高靈敏度
HEMT%GaN%미가속도계%고령민도
根据压阻传感原理设计了GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件与Si 基悬臂梁-质量块结构集成的微加速度.通过ANSYS结构应力仿真,GaN基HEMT作为敏感单元置于微悬臂梁结构根部的应力最大处.同时对微加速度计的关键研制工艺进行了设计和研究,成功制备出具有力电耦合特性的传感结构.并且测试了微结构在静态0 ～10g的惯性测试,结果表明GaN基HEMT器件具备明显的力电耦合效应,该微加速度计的灵敏度为0.24mA/g,线性度为12.4％,适合研制高灵敏度的微加速度计.
根據壓阻傳感原理設計瞭GaN/AlGaN高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)器件與Si 基懸臂樑-質量塊結構集成的微加速度.通過ANSYS結構應力倣真,GaN基HEMT作為敏感單元置于微懸臂樑結構根部的應力最大處.同時對微加速度計的關鍵研製工藝進行瞭設計和研究,成功製備齣具有力電耦閤特性的傳感結構.併且測試瞭微結構在靜態0 ～10g的慣性測試,結果錶明GaN基HEMT器件具備明顯的力電耦閤效應,該微加速度計的靈敏度為0.24mA/g,線性度為12.4％,適閤研製高靈敏度的微加速度計.
근거압조전감원리설계료GaN/AlGaN고전자천이솔정체관(high electron mobility transistor,HEMT)기건여Si 기현비량-질량괴결구집성적미가속도.통과ANSYS결구응력방진,GaN기HEMT작위민감단원치우미현비량결구근부적응력최대처.동시대미가속도계적관건연제공예진행료설계화연구,성공제비출구유력전우합특성적전감결구.병차측시료미결구재정태0 ～10g적관성측시,결과표명GaN기HEMT기건구비명현적력전우합효응,해미가속도계적령민도위0.24mA/g,선성도위12.4％,괄합연제고령민도적미가속도계.
