材料科学与工艺
材料科學與工藝
재료과학여공예
MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
2003年
1期
93-96
,共4页
孟凡君%茹淼焱%刘爱祥%刘宗林%吴秀荣
孟凡君%茹淼焱%劉愛祥%劉宗林%吳秀榮
맹범군%여묘염%류애상%류종림%오수영
雷达波吸收材料(RAM)%聚硅氮烷%Si-C-N陶瓷%氨解
雷達波吸收材料(RAM)%聚硅氮烷%Si-C-N陶瓷%氨解
뢰체파흡수재료(RAM)%취규담완%Si-C-N도자%안해
对前驱体法制备的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8.2～12.4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究.通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前驱体,经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末.实验结果表明,Si-C-N陶瓷能够吸收X波段的雷达波,并且有机硅单体中Ph2SiCl2的摩尔比对最终的Si-C-N陶瓷吸波性能具有显著的影响.当Ph2SiCl2的含量为5%时,Si-C-N陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗,在9.1～12.4GHz的范围内,反射损耗R.L.小于-10dB即吸收带宽为3.3GHz, 在10.6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB.
對前驅體法製備的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8.2～12.4GHz)的雷達波吸收性能進行瞭研究.通過共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前驅體,經高溫裂解和毬磨穫得Si-C-N陶瓷粉末.實驗結果錶明,Si-C-N陶瓷能夠吸收X波段的雷達波,併且有機硅單體中Ph2SiCl2的摩爾比對最終的Si-C-N陶瓷吸波性能具有顯著的影響.噹Ph2SiCl2的含量為5%時,Si-C-N陶瓷對X波段雷達波具有最好的反射損耗,在9.1～12.4GHz的範圍內,反射損耗R.L.小于-10dB即吸收帶寬為3.3GHz, 在10.6GHz處具有的最大反射損耗為-15dB.
대전구체법제비적Si-C-N도자분말재X파단(8.2～12.4GHz)적뢰체파흡수성능진행료연구.통과공안해갑기록규완화이분기이록규완(Ph2SiCl2),득도함분기취규담완전구체,경고온렬해화구마획득Si-C-N도자분말.실험결과표명,Si-C-N도자능구흡수X파단적뢰체파,병차유궤규단체중Ph2SiCl2적마이비대최종적Si-C-N도자흡파성능구유현저적영향.당Ph2SiCl2적함량위5%시,Si-C-N도자대X파단뢰체파구유최호적반사손모,재9.1～12.4GHz적범위내,반사손모R.L.소우-10dB즉흡수대관위3.3GHz, 재10.6GHz처구유적최대반사손모위-15dB.
