高效率976 nm激光器材料
고효솔976 nm격광기재료
976 nm High-Efficiency Semiconductor Laser Material
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2010年 1期 29-32 ,共4页

    田秀伟%陈宏泰%车相辉%林琳%王晶%张世祖%徐会武%刘会民%王晓燕%杨红伟%安振峰

    전수위%진굉태%차상휘%림림%왕정%장세조%서회무%류회민%왕효연%양홍위%안진봉

    金属有机化学淀积%压应变%转换效率%自洽二维数字模拟%工作电压%Al组分 金屬有機化學澱積%壓應變%轉換效率%自洽二維數字模擬%工作電壓%Al組分
    금속유궤화학정적%압응변%전환효솔%자흡이유수자모의%공작전압%Al조분
    使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响.根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976 nm激光器材料.利用该材料制作成2 mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装,并进行了测试.测试结果表明,模拟与实验的结论一致,降低优化包层和波导层的Al组分可以减小工作电压,从而提高了976 nm半导体激光器的转换效率.室温下,当工作电流为500 A/cm2时,包层和波导层Al组分分别为0.35和0.15时,激光器的工作电压降低为1.63 V,使得电光转换效率达到67%.
    사용자흡이유수자모의연건우화반도체격광기적외연결구,대GaInAs/AlGaAs분별한제압응변단양자정결구진행료모의,연구료포층화파도층적Al조분대공작전압적영향.근거모의결과,채용금속유궤화학정적(MOCVD)기술,외연생장료단양자정976 nm격광기재료.이용해재료제작성2 mm강장적련속(CW)단관기건,채용C-mount재체표준봉장,병진행료측시.측시결과표명,모의여실험적결론일치,강저우화포층화파도층적Al조분가이감소공작전압,종이제고료976 nm반도체격광기적전환효솔.실온하,당공작전류위500 A/cm2시,포층화파도층Al조분분별위0.35화0.15시,격광기적공작전압강저위1.63 V,사득전광전환효솔체도67%.
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