微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
3期
141-145
,共5页
傅青方%闫晓密%郝大鹏%何道伟%Terence K.S.W.%王利光
傅青方%閆曉密%郝大鵬%何道偉%Terence K.S.W.%王利光
부청방%염효밀%학대붕%하도위%Terence K.S.W.%왕리광
弯曲锯齿型单壁碳纳米管%密度泛函理论%非平衡格林函数%电子传输%电子结构
彎麯鋸齒型單壁碳納米管%密度汎函理論%非平衡格林函數%電子傳輸%電子結構
만곡거치형단벽탄납미관%밀도범함이론%비평형격림함수%전자전수%전자결구
采用密度泛函数的B3 LYP和非平衡格林函数方法分别对锯齿型单壁(5.0)碳纳米管(SWCNT)及外接Au电极后的电子结构和电子传输特性进行了理论研究.另外用同样的方法,对弯曲的SWCNT和外接Au电极的器件的电子结构、电子传输特性进行了研究.比较发现,两个模型在HOMO状态下的电子分布主要集中在两端,总的传输性能比LUMO状态下要弱.虽然两种模型具有相似的能带结构,但弯曲SWCNT的能隙较未弯曲SWCNT的能隙要小.另外两种模型的传输谱与态密度有着明显的对应性,但弯曲的碳纳米管的传输谱较未弯曲碳纳米管的传输谱峰值大很多,说明弯曲过后SWCNT的电子输运性能要远优于未弯曲SWCNT.
採用密度汎函數的B3 LYP和非平衡格林函數方法分彆對鋸齒型單壁(5.0)碳納米管(SWCNT)及外接Au電極後的電子結構和電子傳輸特性進行瞭理論研究.另外用同樣的方法,對彎麯的SWCNT和外接Au電極的器件的電子結構、電子傳輸特性進行瞭研究.比較髮現,兩箇模型在HOMO狀態下的電子分佈主要集中在兩耑,總的傳輸性能比LUMO狀態下要弱.雖然兩種模型具有相似的能帶結構,但彎麯SWCNT的能隙較未彎麯SWCNT的能隙要小.另外兩種模型的傳輸譜與態密度有著明顯的對應性,但彎麯的碳納米管的傳輸譜較未彎麯碳納米管的傳輸譜峰值大很多,說明彎麯過後SWCNT的電子輸運性能要遠優于未彎麯SWCNT.
채용밀도범함수적B3 LYP화비평형격림함수방법분별대거치형단벽(5.0)탄납미관(SWCNT)급외접Au전겁후적전자결구화전자전수특성진행료이론연구.령외용동양적방법,대만곡적SWCNT화외접Au전겁적기건적전자결구、전자전수특성진행료연구.비교발현,량개모형재HOMO상태하적전자분포주요집중재량단,총적전수성능비LUMO상태하요약.수연량충모형구유상사적능대결구,단만곡SWCNT적능극교미만곡SWCNT적능극요소.령외량충모형적전수보여태밀도유착명현적대응성,단만곡적탄납미관적전수보교미만곡탄납미관적전수보봉치대흔다,설명만곡과후SWCNT적전자수운성능요원우우미만곡SWCNT.
