中国科学E辑
中國科學E輯
중국과학E집
SCIENCE IN CHINA (SERIES E)
2004年
5期
525-532
,共8页
胡志华%廖显伯%刁宏伟%孔光临%曾湘波%徐艳月
鬍誌華%廖顯伯%刁宏偉%孔光臨%曾湘波%徐豔月
호지화%료현백%조굉위%공광림%증상파%서염월
非晶硅碳%氢稀释%纳米硅
非晶硅碳%氫稀釋%納米硅
비정규탄%경희석%납미규
用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1 eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.
用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷氣體流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氫稀釋比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)製備瞭一繫列的氫化非晶硅碳閤金(a-SiC:H)薄膜.運用紫外-可見光透射譜(UV-VIS)、紅外吸收譜(IR)、Raman譜以及光熒光髮射譜(PL)測量研究瞭氫稀釋和高溫退火對薄膜生長和光學特性的影響.實驗髮現氫稀釋使薄膜光學帶隙展寬(從1.92到2.15 eV).高氫稀釋條件下製備的薄膜經過1250℃退火後在室溫下觀察到可見光髮光峰,峰位位于2.1 eV.結閤Raman譜分析,認為髮光峰源于納米硅的量子限製效應,納米硅被Si-C和Si-O限製.
용PECVD방법,이고정적갑완규완기체류량비([CH4]/[SiH4]=1.2)화불동적경희석비(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102화135)제비료일계렬적경화비정규탄합금(a-SiC:H)박막.운용자외-가견광투사보(UV-VIS)、홍외흡수보(IR)、Raman보이급광형광발사보(PL)측량연구료경희석화고온퇴화대박막생장화광학특성적영향.실험발현경희석사박막광학대극전관(종1.92도2.15 eV).고경희석조건하제비적박막경과1250℃퇴화후재실온하관찰도가견광발광봉,봉위위우2.1 eV.결합Raman보분석,인위발광봉원우납미규적양자한제효응,납미규피Si-C화Si-O한제.
