电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
7期
5-8
,共4页
闫军锋%王雪文%张志勇%赵丽丽%何崇斌
閆軍鋒%王雪文%張誌勇%趙麗麗%何崇斌
염군봉%왕설문%장지용%조려려%하숭빈
电子技术%sol-gel法%纳米晶%二氧化锡%气敏特性
電子技術%sol-gel法%納米晶%二氧化錫%氣敏特性
전자기술%sol-gel법%납미정%이양화석%기민특성
以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DSC-TG、XRD、AFM等手段对样品进行了表征.结果表明,水与乙醇体积比为3:1,草酸与四氯化锡摩尔比为0.3:1,在500℃下退火的薄膜表面平整,平均粒度在20 nm左右,且相应的薄膜元件对丙酮蒸气具有良好的选择性和较高的灵敏度、较短的响应时间和较低的工作温度(≈190℃).
以SnCl4為原料,採用sol-gel技術,應用間接成膠法,在玻璃片上製備瞭納米晶SnO2薄膜及粉體,以其靈敏度、響應時間和工作溫度作為評價氣敏性能的標準,對製備工藝參數進行瞭優化,併用DSC-TG、XRD、AFM等手段對樣品進行瞭錶徵.結果錶明,水與乙醇體積比為3:1,草痠與四氯化錫摩爾比為0.3:1,在500℃下退火的薄膜錶麵平整,平均粒度在20 nm左右,且相應的薄膜元件對丙酮蒸氣具有良好的選擇性和較高的靈敏度、較短的響應時間和較低的工作溫度(≈190℃).
이SnCl4위원료,채용sol-gel기술,응용간접성효법,재파리편상제비료납미정SnO2박막급분체,이기령민도、향응시간화공작온도작위평개기민성능적표준,대제비공예삼수진행료우화,병용DSC-TG、XRD、AFM등수단대양품진행료표정.결과표명,수여을순체적비위3:1,초산여사록화석마이비위0.3:1,재500℃하퇴화적박막표면평정,평균립도재20 nm좌우,차상응적박막원건대병동증기구유량호적선택성화교고적령민도、교단적향응시간화교저적공작온도(≈190℃).
