包装工程
包裝工程
포장공정
PACKAGING ENGINEERING
2006年
4期
68-70
,共3页
周美丽%陈强%岳蕾%葛袁静
週美麗%陳彊%嶽蕾%葛袁靜
주미려%진강%악뢰%갈원정
PECVD%四甲基二硅氧烷%低表面能薄膜%SiOx薄膜
PECVD%四甲基二硅氧烷%低錶麵能薄膜%SiOx薄膜
PECVD%사갑기이규양완%저표면능박막%SiOx박막
采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜.在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响SiO2薄膜低表面能内在因素.
採用13.56MHz的射頻等離子體聚閤裝置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)為單體、氧氣為反應氣體、氬氣為電離氣體,在載玻片、單晶硅片、PET、BOPP等基體材料上沉積氧化硅低錶麵能薄膜.在薄膜的製備工藝研究中,通過改變放電方式、工作壓彊、放電功率、沉積時間、氬氣和TMDSO單體的比例等參數,研究氧化硅薄膜的沉積速率;通過傅立葉紅外光譜儀(FTIR)、原子力顯微鏡(AFM)等分析瞭沉積膜的化學組成和結閤狀態;利用接觸角測定儀測量薄膜的接觸角,從而計算薄膜的錶麵能,最終從結構分析上研究影響SiO2薄膜低錶麵能內在因素.
채용13.56MHz적사빈등리자체취합장치,이사갑기이규양완(TMDSO)위단체、양기위반응기체、아기위전리기체,재재파편、단정규편、PET、BOPP등기체재료상침적양화규저표면능박막.재박막적제비공예연구중,통과개변방전방식、공작압강、방전공솔、침적시간、아기화TMDSO단체적비례등삼수,연구양화규박막적침적속솔;통과부립협홍외광보의(FTIR)、원자력현미경(AFM)등분석료침적막적화학조성화결합상태;이용접촉각측정의측량박막적접촉각,종이계산박막적표면능,최종종결구분석상연구영향SiO2박막저표면능내재인소.
