电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
5期
1-4
,共4页
李涛%刘敬松%李惠琴%许有超%王友平
李濤%劉敬鬆%李惠琴%許有超%王友平
리도%류경송%리혜금%허유초%왕우평
氧化钐%铌镁酸铅%介电性能%相变弥散
氧化釤%鈮鎂痠鉛%介電性能%相變瀰散
양화삼%니미산연%개전성능%상변미산
为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm<,2>O<,3>掺杂的PMN陶瓷(PSMN).研究了Sm<,2>O<,3>掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值ε<,m>及室温下的介质损耗减小,介频稳定性增强.相变弥散度则随x(Sm)的增加而增加.x(Sm)=0.01时,PSMN陶瓷的性能最佳:ε<,m>=15567,tanδ=0.127×10<'-2>.
為瞭改善鈮鎂痠鉛(PMN)的介電性能及溫度穩定性,採用鈮鐵礦法製備瞭Sm<,2>O<,3>摻雜的PMN陶瓷(PSMN).研究瞭Sm<,2>O<,3>摻雜對PMN鐵電陶瓷介電性能的影響.結果錶明:隨著釤摻雜量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒呎吋減小、分佈均一,材料的相變溫度嚮遠離居裏點的低溫方嚮移動,相對介電常數峰值ε<,m>及室溫下的介質損耗減小,介頻穩定性增彊.相變瀰散度則隨x(Sm)的增加而增加.x(Sm)=0.01時,PSMN陶瓷的性能最佳:ε<,m>=15567,tanδ=0.127×10<'-2>.
위료개선니미산연(PMN)적개전성능급온도은정성,채용니철광법제비료Sm<,2>O<,3>참잡적PMN도자(PSMN).연구료Sm<,2>O<,3>참잡대PMN철전도자개전성능적영향.결과표명:수착삼참잡량x(Sm)적증가,PSMN도자적정립척촌감소、분포균일,재료적상변온도향원리거리점적저온방향이동,상대개전상수봉치ε<,m>급실온하적개질손모감소,개빈은정성증강.상변미산도칙수x(Sm)적증가이증가.x(Sm)=0.01시,PSMN도자적성능최가:ε<,m>=15567,tanδ=0.127×10<'-2>.
