东南大学学报(自然科学版)
東南大學學報(自然科學版)
동남대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2004年
1期
5-9
,共5页
彭龙新%李建平%蒋幼泉%魏同立
彭龍新%李建平%蔣幼泉%魏同立
팽룡신%리건평%장유천%위동립
赝配高电子迁移率晶体管%微波单片集成电路%单片低噪声放大器%静电
贗配高電子遷移率晶體管%微波單片集成電路%單片低譟聲放大器%靜電
안배고전자천이솔정체관%미파단편집성전로%단편저조성방대기%정전
S波段单片低噪声放大器采用了0.5 μm φ3英寸(76.2 mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源(+5 V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量, 并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300 MHz范围内,增益在24.5～26 dB范围内, 相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4 dB,输入输出驻波最大1.4,1 dB压缩输出功率大于10.5 dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.
S波段單片低譟聲放大器採用瞭0.5 μm φ3英吋(76.2 mm)砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管工藝,由三級自偏電路構成,單電源(+5 V)供電.對3英吋圓片上的放大器芯片進行直流測試後,隨機抽取一定數量的樣品裝架測量, 併對放大器進行瞭增益和相位的統計.統計錶明:在S波段帶寬300 MHz範圍內,增益在24.5～26 dB範圍內, 相位線性度小于1°,相位偏差±7°,譟聲繫數最大1.4 dB,輸入輸齣駐波最大1.4,1 dB壓縮輸齣功率大于10.5 dBm.另外,還對放大器進行瞭高溫、低溫環境試驗和靜電模擬和試驗.
S파단단편저조성방대기채용료0.5 μm φ3영촌(76.2 mm)신화가안배고전자천이솔정체관공예,유삼급자편전로구성,단전원(+5 V)공전.대3영촌원편상적방대기심편진행직류측시후,수궤추취일정수량적양품장가측량, 병대방대기진행료증익화상위적통계.통계표명:재S파단대관300 MHz범위내,증익재24.5～26 dB범위내, 상위선성도소우1°,상위편차±7°,조성계수최대1.4 dB,수입수출주파최대1.4,1 dB압축수출공솔대우10.5 dBm.령외,환대방대기진행료고온、저온배경시험화정전모의화시험.
