半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2004年
5期
376-379
,共4页
唐田%张永刚%郑燕兰%李爱珍
唐田%張永剛%鄭燕蘭%李愛珍
당전%장영강%정연란%리애진
量子阱%激光器%子带跃迁%锑化物
量子阱%激光器%子帶躍遷%銻化物
양자정%격광기%자대약천%제화물
采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig-Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度.结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作2～3 μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的.
採用有效質量框架下一維有限單勢阱的Kronig-Pency模型對InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器結構的子帶躍遷波長及其和阱寬間的關繫進行瞭設計,併採用能量平衡模型計算瞭此應變材料體繫在生長時的臨界厚度.結果錶明InGaAsSb/AlGaAsSb是製作2～3 μm中紅外波段量子阱激光器的良好材料體繫,然而在結構設計和材料生長中採用閤適的材料組分及阱寬併對應變總量進行控製是十分重要的.
채용유효질량광가하일유유한단세정적Kronig-Pency모형대InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98양자정격광기결구적자대약천파장급기화정관간적관계진행료설계,병채용능량평형모형계산료차응변재료체계재생장시적림계후도.결과표명InGaAsSb/AlGaAsSb시제작2～3 μm중홍외파단양자정격광기적량호재료체계,연이재결구설계화재료생장중채용합괄적재료조분급정관병대응변총량진행공제시십분중요적.
