电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
11期
10-12,15
,共4页
电子技术%氧化铟%sol-gel法%气敏性能%氯气
電子技術%氧化銦%sol-gel法%氣敏性能%氯氣
전자기술%양화인%sol-gel법%기민성능%록기
以In2(SO4)3为原料,通过sol-gel法制备了立方晶系的In2O3粉体.利用 X射线衍射仪、透射电镜对材料的组成、晶粒的大小、结构进行了表征.结果表明,产物为平均粒径30 nm左右的圆球形颗粒.将前驱体分别在不同温度下进行热处理,对其气敏性能研究发现,900℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10-6 Cl2表现出较好的灵敏度(1.5×104)和选择性.600℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10-6 NO2的灵敏度高达2.5×105.最后,对其气敏机理进行了分析.
以In2(SO4)3為原料,通過sol-gel法製備瞭立方晶繫的In2O3粉體.利用 X射線衍射儀、透射電鏡對材料的組成、晶粒的大小、結構進行瞭錶徵.結果錶明,產物為平均粒徑30 nm左右的圓毬形顆粒.將前驅體分彆在不同溫度下進行熱處理,對其氣敏性能研究髮現,900℃熱處理的元件,在工作溫度245℃時,對50×10-6 Cl2錶現齣較好的靈敏度(1.5×104)和選擇性.600℃熱處理的元件,在工作溫度245℃時,對50×10-6 NO2的靈敏度高達2.5×105.最後,對其氣敏機理進行瞭分析.
이In2(SO4)3위원료,통과sol-gel법제비료립방정계적In2O3분체.이용 X사선연사의、투사전경대재료적조성、정립적대소、결구진행료표정.결과표명,산물위평균립경30 nm좌우적원구형과립.장전구체분별재불동온도하진행열처리,대기기민성능연구발현,900℃열처리적원건,재공작온도245℃시,대50×10-6 Cl2표현출교호적령민도(1.5×104)화선택성.600℃열처리적원건,재공작온도245℃시,대50×10-6 NO2적령민도고체2.5×105.최후,대기기민궤리진행료분석.
