半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
5期
551-555
,共5页
吕衍秋%王妮丽%庄春泉%韩冰%李向阳%龚海梅
呂衍鞦%王妮麗%莊春泉%韓冰%李嚮暘%龔海梅
려연추%왕니려%장춘천%한빙%리향양%공해매
均匀性%InGaAs%载流子寿命%焦平面阵列%μ-PCD技术
均勻性%InGaAs%載流子壽命%焦平麵陣列%μ-PCD技術
균균성%InGaAs%재류자수명%초평면진렬%μ-PCD기술
外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.
外延材料的均勻性對製備大型線列和二維麵陣焦平麵陣列(FPA)探測器非常重要.用微波反射光電導衰減法(μ-PCD)分彆在300 K和85 K溫度下測量瞭用分子束外延技術生長的p-InP/n-InGaAs/n-InP雙異質結中摻雜InGaAs吸收層的載流子壽命分佈圖,併詳細論述瞭這種測試技術的理論基礎.在300 K和85 K時,平均壽命分彆為168.2 ns和149.4 ns,結果與ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一緻.壽命變溫麯線錶明,中等摻雜InGaAs載流子壽命在低溫下變化較小.μ-PCD法可以非接觸無損傷快速測量p-InP/n-InGaAs/n-InP雙異質結中InGaAs的壽命圖,對于錶徵InGaAs吸收層的均勻性有潛在的應用,這對研製均勻性良好的InGaAs焦平麵探測器非常重要.
외연재료적균균성대제비대형선렬화이유면진초평면진렬(FPA)탐측기비상중요.용미파반사광전도쇠감법(μ-PCD)분별재300 K화85 K온도하측량료용분자속외연기술생장적p-InP/n-InGaAs/n-InP쌍이질결중참잡InGaAs흡수층적재류자수명분포도,병상세논술료저충측시기술적이론기출.재300 K화85 K시,평균수명분별위168.2 ns화149.4 ns,결과여ZnS/n-InGaAs/n-InP적기본일치.수명변온곡선표명,중등참잡InGaAs재류자수명재저온하변화교소.μ-PCD법가이비접촉무손상쾌속측량p-InP/n-InGaAs/n-InP쌍이질결중InGaAs적수명도,대우표정InGaAs흡수층적균균성유잠재적응용,저대연제균균성량호적InGaAs초평면탐측기비상중요.
