高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2007年
6期
1126-1130
,共5页
张欣%黄婷婷%谭凯%林梦海%张乾二
張訢%黃婷婷%譚凱%林夢海%張乾二
장흔%황정정%담개%림몽해%장건이
ZnS%半导体团簇%三阶非线性光学性质%理论计算
ZnS%半導體糰簇%三階非線性光學性質%理論計算
ZnS%반도체단족%삼계비선성광학성질%이론계산
在TDDFT/Lanl2DZ+6-31G*水平下对(ZnS)6～12半导体团簇的三阶非线性光学性质进行了计算, 并用态求和(SOS)方法得到静态三阶宏观极化率χ(3)和0～2.5 eV范围内输入光子能量对三阶微观极化率γ的动态行为. 结果表明, (ZnS)6～12的χ(3)值比其它半导体团簇的略好. 且(ZnS)7和(ZnS)11分别在1.6和2.0 eV处出现了很大的γ值, 为-2.38×10-33和1.26×10-33 esu. 在此输入光子能量处激发, 它们将会产生很强的三阶非线性光学效应.
在TDDFT/Lanl2DZ+6-31G*水平下對(ZnS)6～12半導體糰簇的三階非線性光學性質進行瞭計算, 併用態求和(SOS)方法得到靜態三階宏觀極化率χ(3)和0～2.5 eV範圍內輸入光子能量對三階微觀極化率γ的動態行為. 結果錶明, (ZnS)6～12的χ(3)值比其它半導體糰簇的略好. 且(ZnS)7和(ZnS)11分彆在1.6和2.0 eV處齣現瞭很大的γ值, 為-2.38×10-33和1.26×10-33 esu. 在此輸入光子能量處激髮, 它們將會產生很彊的三階非線性光學效應.
재TDDFT/Lanl2DZ+6-31G*수평하대(ZnS)6～12반도체단족적삼계비선성광학성질진행료계산, 병용태구화(SOS)방법득도정태삼계굉관겁화솔χ(3)화0～2.5 eV범위내수입광자능량대삼계미관겁화솔γ적동태행위. 결과표명, (ZnS)6～12적χ(3)치비기타반도체단족적략호. 차(ZnS)7화(ZnS)11분별재1.6화2.0 eV처출현료흔대적γ치, 위-2.38×10-33화1.26×10-33 esu. 재차수입광자능량처격발, 타문장회산생흔강적삼계비선성광학효응.
