物理学报
物理學報
물이학보
2008年
1期
508-513
,共6页
王叶安%秦福文%吴东江%吴爱民%徐茵%顾彪
王葉安%秦福文%吳東江%吳愛民%徐茵%顧彪
왕협안%진복문%오동강%오애민%서인%고표
GaMnN薄膜%稀磁半导体%铁磁性%居里温度
GaMnN薄膜%稀磁半導體%鐵磁性%居裏溫度
GaMnN박막%희자반도체%철자성%거리온도
利用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法.采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-A12 O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SOUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350 K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.
利用電子迴鏇共振.等離子體增彊金屬有機物化學氣相沉積(ECR-PEMOCVD)方法.採用二茂錳(Cp2Mn)作為Mn源,高純氮氣作為氮源,三乙基鎵(TEGa)作為Ga源,在藍寶石(α-A12 O3)(0001)襯底上外延生長GaMnN稀磁半導體薄膜.反射高能電子衍射(RHEED)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)錶徵瞭GaMnN薄膜的晶體結構和錶麵形貌.GaMnN薄膜均錶現齣良好的(0002)擇優取嚮,錶明製備的薄膜傾嚮于c軸方嚮生長,薄膜保持很好的纖鋅礦結構.錶麵形貌是由許多亞微米量級的晶粒按一緻的取嚮規則堆砌而成的.超導量子榦涉儀(SOUID)用來錶徵薄膜的磁性.SQUID分析錶明,薄膜呈鐵磁性,鐵磁性僅可能來源于三元相GaMnN,薄膜的居裏溫度高于350 K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居裏溫度.
이용전자회선공진.등리자체증강금속유궤물화학기상침적(ECR-PEMOCVD)방법.채용이무맹(Cp2Mn)작위Mn원,고순담기작위담원,삼을기가(TEGa)작위Ga원,재람보석(α-A12 O3)(0001)츤저상외연생장GaMnN희자반도체박막.반사고능전자연사(RHEED)、X사선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)표정료GaMnN박막적정체결구화표면형모.GaMnN박막균표현출량호적(0002)택우취향,표명제비적박막경향우c축방향생장,박막보지흔호적섬자광결구.표면형모시유허다아미미량급적정립안일치적취향규칙퇴체이성적.초도양자간섭의(SOUID)용래표정박막적자성.SQUID분석표명,박막정철자성,철자성부가능래원우삼원상GaMnN,박막적거리온도고우350 K.이차,고Mn적함량가이제고박막적거리온도.
