中国腐蚀与防护学报
中國腐蝕與防護學報
중국부식여방호학보
JOURNAL OF CHINESE SOCIETY FOR CORROSION AND PROTECTION
2008年
5期
265-270,276
,共7页
李进%许兆义%杜一立%苑维双%牟伟腾
李進%許兆義%杜一立%苑維雙%牟偉騰
리진%허조의%두일립%원유쌍%모위등
硫酸盐还原菌%生物膜%AFM%交流阻抗谱%双电层电容%转移电阻
硫痠鹽還原菌%生物膜%AFM%交流阻抗譜%雙電層電容%轉移電阻
류산염환원균%생물막%AFM%교류조항보%쌍전층전용%전이전조
测试了硫酸盐还原菌(sulfate reducing bacteria,SRB)的生长规律,浸泡初期(前 3d)SRB处于对数增长期,浸泡后期(4 d后)SRB进入稳定生长期.利用AFM技术和EIS电化学方法研究了SRB生物膜对HSn70-1AB铜合金电极界面的影响.AFM分析表明,浸泡后期合金表面生物膜粗糙度较前期有所下降.EIS结果表明,浸泡前3 d,合金表面氧化膜层较为稳定,氧化膜层电容值变化不明显.浸泡7 d后,合金表面氧化膜遭受局部腐蚀,开始出现微孔,粗糙度增加,氧化膜层电容值增大.
測試瞭硫痠鹽還原菌(sulfate reducing bacteria,SRB)的生長規律,浸泡初期(前 3d)SRB處于對數增長期,浸泡後期(4 d後)SRB進入穩定生長期.利用AFM技術和EIS電化學方法研究瞭SRB生物膜對HSn70-1AB銅閤金電極界麵的影響.AFM分析錶明,浸泡後期閤金錶麵生物膜粗糙度較前期有所下降.EIS結果錶明,浸泡前3 d,閤金錶麵氧化膜層較為穩定,氧化膜層電容值變化不明顯.浸泡7 d後,閤金錶麵氧化膜遭受跼部腐蝕,開始齣現微孔,粗糙度增加,氧化膜層電容值增大.
측시료류산염환원균(sulfate reducing bacteria,SRB)적생장규률,침포초기(전 3d)SRB처우대수증장기,침포후기(4 d후)SRB진입은정생장기.이용AFM기술화EIS전화학방법연구료SRB생물막대HSn70-1AB동합금전겁계면적영향.AFM분석표명,침포후기합금표면생물막조조도교전기유소하강.EIS결과표명,침포전3 d,합금표면양화막층교위은정,양화막층전용치변화불명현.침포7 d후,합금표면양화막조수국부부식,개시출현미공,조조도증가,양화막층전용치증대.
