真空与低温
真空與低溫
진공여저온
VACUUM AND CRYOGENICS
2008年
4期
236-239
,共4页
负电子亲和势%GaN光电阴极激活%紫外敏感材料%光电探测
負電子親和勢%GaN光電陰極激活%紫外敏感材料%光電探測
부전자친화세%GaN광전음겁격활%자외민감재료%광전탐측
采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5 um厚度的P～AlxGa1-xN/GaN层(0<X≤0.4),在AlxGa1-x层中的Al浓度为0.2<X<0.3.P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2～5 um,并获得1×1019/cm<'3>的掺杂浓度,且具有忽略不计的复合分界面.详述了MOCVD生长大尺寸紫外光电阴极材料发展前景和工艺的重复性.
採用低壓金屬有機化學汽化澱積法在藍寶石(0001)襯底上生長2～5 um厚度的P～AlxGa1-xN/GaN層(0<X≤0.4),在AlxGa1-x層中的Al濃度為0.2<X<0.3.P型GaN激活層的電子擴散長度確定為2～5 um,併穫得1×1019/cm<'3>的摻雜濃度,且具有忽略不計的複閤分界麵.詳述瞭MOCVD生長大呎吋紫外光電陰極材料髮展前景和工藝的重複性.
채용저압금속유궤화학기화정적법재람보석(0001)츤저상생장2～5 um후도적P～AlxGa1-xN/GaN층(0<X≤0.4),재AlxGa1-x층중적Al농도위0.2<X<0.3.P형GaN격활층적전자확산장도학정위2～5 um,병획득1×1019/cm<'3>적참잡농도,차구유홀략불계적복합분계면.상술료MOCVD생장대척촌자외광전음겁재료발전전경화공예적중복성.
