固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
1期
14-17
,共4页
宋建军%张鹤鸣%戴显英%胡辉勇%宣荣喜
宋建軍%張鶴鳴%戴顯英%鬍輝勇%宣榮喜
송건군%장학명%대현영%호휘용%선영희
应变硅%K.P法%能带结构
應變硅%K.P法%能帶結構
응변규%K.P법%능대결구
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础.采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型.结果表明:[0013、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小.该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考.
應變Si材料的能帶結構是研究設計高速/高性能器件和電路的理論基礎.採用結閤形變勢理論的K.P微擾法建立瞭(001)麵弛豫Si1-xGex襯底上生長的張應變Si的能帶結構模型.結果錶明:[0013、[001]方嚮能穀構成瞭張應變Si導帶帶邊,其能量值隨Ge組分的增加而變小;導帶劈裂能與Ge組分成線性關繫;價帶三箇帶邊能級都隨Ge組分的增加而增加,而且Ge組分越高價帶帶邊劈裂能值越大;禁帶寬度隨著Ge組分的增加而變小.該模型可穫得量化的數據,對器件研究設計可提供有價值的參攷.
응변Si재료적능대결구시연구설계고속/고성능기건화전로적이론기출.채용결합형변세이론적K.P미우법건립료(001)면이예Si1-xGex츤저상생장적장응변Si적능대결구모형.결과표명:[0013、[001]방향능곡구성료장응변Si도대대변,기능량치수Ge조분적증가이변소;도대벽렬능여Ge조분성선성관계;개대삼개대변능급도수Ge조분적증가이증가,이차Ge조분월고개대대변벽렬능치월대;금대관도수착Ge조분적증가이변소.해모형가획득양화적수거,대기건연구설계가제공유개치적삼고.
