光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2009年
6期
1427-1431
,共5页
胡瑞红%施解龙%侯鹏%肖剑峰
鬍瑞紅%施解龍%侯鵬%肖劍峰
호서홍%시해룡%후붕%초검봉
光子晶体%亚波长材料%Goos-H(a)nchen位移%复合缺陷
光子晶體%亞波長材料%Goos-H(a)nchen位移%複閤缺陷
광자정체%아파장재료%Goos-H(a)nchen위이%복합결함
利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-H(a)nchen位移的调制特性,讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-H(a)nchen位移的影响.研究发现:一层几何厚度极小的亚波长薄膜即可非常灵敏地调制一维光子晶体缺陷模频率处Goos-H(a)nchen位移的位置及其大小;并且当亚波长缺陷膜为左手材料时,Goos-H(a)nchen位移随亚波长缺陷膜物理参量的变化趋势与普通右手材料时的情形完全相反.
利用傳輸矩陣法分析一維光子晶體中亞波長缺陷膜對缺陷模頻率處Goos-H(a)nchen位移的調製特性,討論瞭亞波長缺陷膜的厚度、磁導率及介電常量對一維光子晶體缺陷模頻率處的Goos-H(a)nchen位移的影響.研究髮現:一層幾何厚度極小的亞波長薄膜即可非常靈敏地調製一維光子晶體缺陷模頻率處Goos-H(a)nchen位移的位置及其大小;併且噹亞波長缺陷膜為左手材料時,Goos-H(a)nchen位移隨亞波長缺陷膜物理參量的變化趨勢與普通右手材料時的情形完全相反.
이용전수구진법분석일유광자정체중아파장결함막대결함모빈솔처Goos-H(a)nchen위이적조제특성,토론료아파장결함막적후도、자도솔급개전상량대일유광자정체결함모빈솔처적Goos-H(a)nchen위이적영향.연구발현:일층궤하후도겁소적아파장박막즉가비상령민지조제일유광자정체결함모빈솔처Goos-H(a)nchen위이적위치급기대소;병차당아파장결함막위좌수재료시,Goos-H(a)nchen위이수아파장결함막물리삼량적변화추세여보통우수재료시적정형완전상반.
