半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
9期
909-912
,共4页
张佶%金钢%吴雨欣%林殷茵
張佶%金鋼%吳雨訢%林慇茵
장길%금강%오우흔%림은인
与非%三维%可堆叠%多层%阻变存储器%高密度应用
與非%三維%可堆疊%多層%阻變存儲器%高密度應用
여비%삼유%가퇴첩%다층%조변존저기%고밀도응용
随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加.阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点.提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND)型共享选通管的三维多层1TXR阻变存储器概念.在0.13 μm工艺下,以一个使用8层金属堆叠的1T64R结构为例,其存储密度比传统的单层1T1R结构高500%.提出了相关的读写操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗.
隨著存儲器市場逐漸受消費電子的驅動,對高密度低成本的存儲需求正在不斷增加.阻變存儲器正在成為新型非揮髮存儲器的研究熱點.提齣一種適用于未來高密度應用的與非(NAND)型共享選通管的三維多層1TXR阻變存儲器概唸.在0.13 μm工藝下,以一箇使用8層金屬堆疊的1T64R結構為例,其存儲密度比傳統的單層1T1R結構高500%.提齣瞭相關的讀寫操作方法來防止由漏電流造成的誤寫和誤讀併且降低功耗.
수착존저기시장축점수소비전자적구동,대고밀도저성본적존저수구정재불단증가.조변존저기정재성위신형비휘발존저기적연구열점.제출일충괄용우미래고밀도응용적여비(NAND)형공향선통관적삼유다층1TXR조변존저기개념.재0.13 μm공예하,이일개사용8층금속퇴첩적1T64R결구위례,기존저밀도비전통적단층1T1R결구고500%.제출료상관적독사조작방법래방지유루전류조성적오사화오독병차강저공모.
