红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
홍등광InGaN/GaN양자정적결구여광학성질연구
Structrual and Optical Properties Research of the InGaN/GaN MQW Emiting Red-Orange
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2011年 10期 747-750 ,共4页

    苏辉%张荣%谢自力%刘斌%李毅%傅德颐%赵红%华雪梅%韩平%施毅%郑有炓

    소휘%장영%사자력%류빈%리의%부덕이%조홍%화설매%한평%시의%정유료

    InGaN/GaN多量子阱%金属有机化学气相沉积%光致荧光谱%原子力显微镜%红橙光 InGaN/GaN多量子阱%金屬有機化學氣相沉積%光緻熒光譜%原子力顯微鏡%紅橙光
    InGaN/GaN다양자정%금속유궤화학기상침적%광치형광보%원자력현미경%홍등광
    采用金属有机物化学气相沉积( MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD) ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28％.比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度.室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近.变温PL (15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm.由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的“S”变化趋势.
    채용금속유궤물화학기상침적( MOCVD)기술생장료구유고In조분InGaN정층적InGaN/GaN다양자정(MQW)결구,고분변X사선연사(HRXRD) ω-2θ소묘의합득도정층In함량28％.비교대적표면조조도표명유흔대적위착밀도.실온하광치형광(PL)연구발현해양자정발사가견적홍등광,봉위파장재610 nm부근.변온PL (15～300 K)진일보게시양자정재저온하유량개발광궤제,대응적발사봉파장분별위538 nm화610 nm.유우In분응화재류자적국역화도치적재류자동력개변,사득양자정PL발광봉치수온도증가정명현적“S”변화추세.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문