微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
1期
27-32,55
,共7页
吕志军%胡明%陈涛%后顺保%梁继然%栗力
呂誌軍%鬍明%陳濤%後順保%樑繼然%慄力
려지군%호명%진도%후순보%량계연%률력
溅射%氧化钒薄膜%相变%快速热处理%光电性能
濺射%氧化釩薄膜%相變%快速熱處理%光電性能
천사%양화범박막%상변%쾌속열처리%광전성능
采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜.利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量.结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主；350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密；500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2 (002)向单斜结构的VO2 (011)转变,VO2 (011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70％,热致相变性能良好.
採用直流對靶磁控濺射結閤快速熱處理工藝製備瞭具有金屬-半導體相變特性的氧化釩(VOx)薄膜.利用XRD,XPS和SEM對薄膜結晶結構、薄膜中V的價態與組分及錶麵微觀形貌進行分析,利用四探針測試法及太赫玆時域頻譜繫統對薄膜的電學和光學特性進行測量.結果錶明:新製備VOx薄膜以非晶態V2O5為主；350℃,30 s快速熱處理後,薄膜中V的整體價態降低,錶麵顆粒分佈更加緻密；500℃,30 s快速熱處理後,薄膜中VO2 (002)嚮單斜結構的VO2 (011)轉變,VO2 (011)佔主要成分,薄膜顯示齣明顯的金屬-半導體相變特性,方塊電阻下降達到3箇數量級,太赫玆透過率下降接近70％,熱緻相變性能良好.
채용직류대파자공천사결합쾌속열처리공예제비료구유금속-반도체상변특성적양화범(VOx)박막.이용XRD,XPS화SEM대박막결정결구、박막중V적개태여조분급표면미관형모진행분석,이용사탐침측시법급태혁자시역빈보계통대박막적전학화광학특성진행측량.결과표명:신제비VOx박막이비정태V2O5위주；350℃,30 s쾌속열처리후,박막중V적정체개태강저,표면과립분포경가치밀；500℃,30 s쾌속열처리후,박막중VO2 (002)향단사결구적VO2 (011)전변,VO2 (011)점주요성분,박막현시출명현적금속-반도체상변특성,방괴전조하강체도3개수량급,태혁자투과솔하강접근70％,열치상변성능량호.
