微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2009年
5期
13-15
,共3页
共源共栅%基极电流补偿%带隙电压基准
共源共柵%基極電流補償%帶隙電壓基準
공원공책%기겁전류보상%대극전압기준
基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准.结果表明,在温度-25℃～125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db.该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源.
基于0.5μm雙層多晶雙層鋁CMOS工藝,採用共源共柵電流鏡結構和基極電流補償方法,設計瞭一種新穎的高性能帶隙電壓基準.結果錶明,在溫度-25℃～125℃範圍,基準電壓溫度繫數為15.3×10-6V/℃,低頻時,電源抑製比可達-80db.該電路可做為A/D和D/A轉換器中的基準電壓源.
기우0.5μm쌍층다정쌍층려CMOS공예,채용공원공책전류경결구화기겁전류보상방법,설계료일충신영적고성능대극전압기준.결과표명,재온도-25℃～125℃범위,기준전압온도계수위15.3×10-6V/℃,저빈시,전원억제비가체-80db.해전로가주위A/D화D/A전환기중적기준전압원.
