科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2009年
22期
79,81
,共2页
团簇%垂直电离势%绝热亲和势%密度泛函理论
糰簇%垂直電離勢%絕熱親和勢%密度汎函理論
단족%수직전리세%절열친화세%밀도범함이론
本文采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)相同水平上计算了BmNn(m+n+5)的绝热电子亲和势,BmNn-的垂直电离势,BmNn+的绝热电离势和垂直电离势.结果表明:BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失电子能力较弱,B2N2-失电子能力最强,BN4-失电子能力最弱,BN2-和B2N-、BN-和B3N-的垂直电离能力相同.
本文採用密度汎函理論(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)相同水平上計算瞭BmNn(m+n+5)的絕熱電子親和勢,BmNn-的垂直電離勢,BmNn+的絕熱電離勢和垂直電離勢.結果錶明:BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失電子能力較弱,B2N2-失電子能力最彊,BN4-失電子能力最弱,BN2-和B2N-、BN-和B3N-的垂直電離能力相同.
본문채용밀도범함이론(DFT)적B3LYP방법,재6-31G(d)상동수평상계산료BmNn(m+n+5)적절열전자친화세,BmNn-적수직전리세,BmNn+적절열전리세화수직전리세.결과표명:BN、B2N、BN3、B3N2화BN4실전자능력교약,B2N2-실전자능력최강,BN4-실전자능력최약,BN2-화B2N-、BN-화B3N-적수직전리능력상동.
