陶瓷
陶瓷
도자
CERAMICS
2009年
2期
10-12
,共3页
谈国强%贺中亮%刘剑%博海洋%宋亚玉%娄晶晶%李锋娟
談國彊%賀中亮%劉劍%博海洋%宋亞玉%婁晶晶%李鋒娟
담국강%하중량%류검%박해양%송아옥%루정정%리봉연
HfO2%薄膜%研究进展
HfO2%薄膜%研究進展
HfO2%박막%연구진전
随着集成电路的迅速发展,高K值柵介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料,HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注.本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展.
隨著集成電路的迅速髮展,高K值柵介質材料將成為下一代MOS器件最具有希望的候選材料,HfO2具有寬帶隙和高介電常數而備受關註.本文簡述瞭HfO2薄膜的製備方法及研究進展.
수착집성전로적신속발전,고K치책개질재료장성위하일대MOS기건최구유희망적후선재료,HfO2구유관대극화고개전상수이비수관주.본문간술료HfO2박막적제비방법급연구진전.
