北京科技大学学报
北京科技大學學報
북경과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY BEIJING
2008年
11期
1282-1285
,共4页
马继开%王德君%朱巧智%赵亮%王海波
馬繼開%王德君%硃巧智%趙亮%王海波
마계개%왕덕군%주교지%조량%왕해파
4H-SiC%MOS电容%湿氧二次氧化退火%SiO2/SiC界面
4H-SiC%MOS電容%濕氧二次氧化退火%SiO2/SiC界麵
4H-SiC%MOS전용%습양이차양화퇴화%SiO2/SiC계면
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容. 通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比. 在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV*cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1*cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.
在傳統氧化工藝的基礎上,結閤低溫濕氧二次氧化退火製作4H-SiC MOS電容. 通過I-V測試,結閤Fowler-Nordheim(F-N)隧道電流模型分析瞭氧化膜質量;使用Terman法計算瞭SiO2/SiC界麵態密度;通過XPS測試對採取不同工藝的器件界麵結構進行瞭對比. 在該工藝下穫得的氧化膜擊穿場彊為10MV*cm-1,SiC/SiO2勢壘高度2.46eV,同時SiO2/SiC的界麵性能明顯改善,界麵態密度達到瞭1011eV-1*cm-2量級,已經達到瞭製作器件的可靠性要求.
재전통양화공예적기출상,결합저온습양이차양화퇴화제작4H-SiC MOS전용. 통과I-V측시,결합Fowler-Nordheim(F-N)수도전류모형분석료양화막질량;사용Terman법계산료SiO2/SiC계면태밀도;통과XPS측시대채취불동공예적기건계면결구진행료대비. 재해공예하획득적양화막격천장강위10MV*cm-1,SiC/SiO2세루고도2.46eV,동시SiO2/SiC적계면성능명현개선,계면태밀도체도료1011eV-1*cm-2량급,이경체도료제작기건적가고성요구.
