脉冲激光沉积(PLD)法生长纳米ZnO薄膜的探索
맥충격광침적(PLD)법생장납미ZnO박막적탐색
Study of ZnO Nano Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
  • 万方数据
    材料导报 재료도보
    MATERIALS REVIEW
    2008年 z1期 72-74 ,共3页

    仇旭升%谢可可%孔明光%汪壮兵%刘炳龙%马渊明%章伟%梁齐

    구욱승%사가가%공명광%왕장병%류병룡%마연명%장위%량제

    纳米薄膜%PLD%XRD 納米薄膜%PLD%XRD
    납미박막%PLD%XRD
    在Si衬底上用脉冲激光沉积法生长C轴取向高度一致的ZnO纳米薄膜.实验制备ZnO纳米结构,其颗粒尺寸的控制是关键.通过改变衬底温度(400～700℃)和沉积时间,获得不同的ZnO纳米结构.SEM观察,在600℃时颗粒均匀且间隔明显,且该薄膜结构为不连续膜,这与其他衬底温度下所形成的薄膜结构有很大差异.XRD显示,600～700℃结晶良好.
    재Si츤저상용맥충격광침적법생장C축취향고도일치적ZnO납미박막.실험제비ZnO납미결구,기과립척촌적공제시관건.통과개변츤저온도(400～700℃)화침적시간,획득불동적ZnO납미결구.SEM관찰,재600℃시과립균균차간격명현,차해박막결구위불련속막,저여기타츤저온도하소형성적박막결구유흔대차이.XRD현시,600～700℃결정량호.
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