电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
3期
22-24
,共3页
刘元隆%胡继豹%谢宇%傅毛生
劉元隆%鬍繼豹%謝宇%傅毛生
류원륭%호계표%사우%부모생
电子技术%气敏材料%sol-gel法%灵敏度%SnO2
電子技術%氣敏材料%sol-gel法%靈敏度%SnO2
전자기술%기민재료%sol-gel법%령민도%SnO2
用sol-gel法制备了8种掺铝SnO2气敏材料,并用XRD分析其结构和晶粒度,用自组装仪器测定其气敏性能.结果表明:铝的掺入未改变SnO2的四方晶系结构,样品晶粒度为31.46～50.89 nm;烧结温度600 ℃、掺铝量为5%(摩尔分数)的样品对C4H10的灵敏度为22.7;烧结温度600 ℃、掺x(Al)为1%的样品对H2S比较敏感,灵敏度为87.5;烧结温度700 ℃、掺x(Al)为5%的样品对C4H10灵敏度为45.5,对H2S灵敏度为100.
用sol-gel法製備瞭8種摻鋁SnO2氣敏材料,併用XRD分析其結構和晶粒度,用自組裝儀器測定其氣敏性能.結果錶明:鋁的摻入未改變SnO2的四方晶繫結構,樣品晶粒度為31.46～50.89 nm;燒結溫度600 ℃、摻鋁量為5%(摩爾分數)的樣品對C4H10的靈敏度為22.7;燒結溫度600 ℃、摻x(Al)為1%的樣品對H2S比較敏感,靈敏度為87.5;燒結溫度700 ℃、摻x(Al)為5%的樣品對C4H10靈敏度為45.5,對H2S靈敏度為100.
용sol-gel법제비료8충참려SnO2기민재료,병용XRD분석기결구화정립도,용자조장의기측정기기민성능.결과표명:려적참입미개변SnO2적사방정계결구,양품정립도위31.46～50.89 nm;소결온도600 ℃、참려량위5%(마이분수)적양품대C4H10적령민도위22.7;소결온도600 ℃、참x(Al)위1%적양품대H2S비교민감,령민도위87.5;소결온도700 ℃、참x(Al)위5%적양품대C4H10령민도위45.5,대H2S령민도위100.
