半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
6期
774-777
,共4页
翁斌斌%秦丽菲%黄瑾%尹以安%刘宝林%张保平
翁斌斌%秦麗菲%黃瑾%尹以安%劉寶林%張保平
옹빈빈%진려비%황근%윤이안%류보림%장보평
发光二极管%氮化镓%氧化铟锡%出光效率
髮光二極管%氮化鎵%氧化銦錫%齣光效率
발광이겁관%담화가%양화인석%출광효솔
将氧化铟锡(ITO)生长于氮化镓基蓝色发光二极管的出光台面上(p型GaN台面),用非平面化处理的方法制作出ITO井状结构,研制出非平面化型氧化铟锡-氮化镓基蓝色发光二极管(LED),获得了高的出光效率.结果表明,在20mA工作电流下,该蓝色发光二极管的出光光强是平整的普通ITO-GaN基LED的1.35倍.
將氧化銦錫(ITO)生長于氮化鎵基藍色髮光二極管的齣光檯麵上(p型GaN檯麵),用非平麵化處理的方法製作齣ITO井狀結構,研製齣非平麵化型氧化銦錫-氮化鎵基藍色髮光二極管(LED),穫得瞭高的齣光效率.結果錶明,在20mA工作電流下,該藍色髮光二極管的齣光光彊是平整的普通ITO-GaN基LED的1.35倍.
장양화인석(ITO)생장우담화가기람색발광이겁관적출광태면상(p형GaN태면),용비평면화처리적방법제작출ITO정상결구,연제출비평면화형양화인석-담화가기람색발광이겁관(LED),획득료고적출광효솔.결과표명,재20mA공작전류하,해람색발광이겁관적출광광강시평정적보통ITO-GaN기LED적1.35배.
