发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2007年
6期
907-912
,共6页
高威%郑著宏%公维炜%郑金桔%胡学兵
高威%鄭著宏%公維煒%鄭金桔%鬍學兵
고위%정저굉%공유위%정금길%호학병
非对称量子阱%激子隧穿%光致发光
非對稱量子阱%激子隧穿%光緻髮光
비대칭양자정%격자수천%광치발광
利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性.稳态光谱表明:在82～141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了高能侧发光的来源.宽阱发光强度先增加后减小,将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果.通过Arrhenius拟合,对宽阱激子热激活能进行了计算.82K时变激发功率PL光谱表明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化,宽阱发光峰位随激发功率增加发生了蓝移,并对激子隧穿进行了实验验证.
利用MOCVD技術在GaAs襯底上外延生長瞭非對稱量子阱結構CdSe/ZnSe材料,通過對其穩態變溫光譜及變激髮功率光譜,研究瞭其髮光特性.穩態光譜錶明:在82～141K時,觀測到的兩箇髮光峰來源于不同阱層厚度的量子阱激子髮光,用對比實驗驗證瞭高能側髮光的來源.寬阱髮光彊度先增加後減小,將其歸結為激子隧穿與激子熱離化相互競爭的結果.通過Arrhenius擬閤,對寬阱激子熱激活能進行瞭計算.82K時變激髮功率PL光譜錶明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱髮光峰位不隨激髮功率變化而變化,寬阱髮光峰位隨激髮功率增加髮生瞭藍移,併對激子隧穿進行瞭實驗驗證.
이용MOCVD기술재GaAs츤저상외연생장료비대칭양자정결구CdSe/ZnSe재료,통과대기은태변온광보급변격발공솔광보,연구료기발광특성.은태광보표명:재82～141K시,관측도적량개발광봉래원우불동정층후도적양자정격자발광,용대비실험험증료고능측발광적래원.관정발광강도선증가후감소,장기귀결위격자수천여격자열리화상호경쟁적결과.통과Arrhenius의합,대관정격자열격활능진행료계산.82K시변격발공솔PL광보표명:유우격자수천적존재,사득착정발광봉위불수격발공솔변화이변화,관정발광봉위수격발공솔증가발생료람이,병대격자수천진행료실험험증.
