InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究
InP/InGaAs/InP쌍이질결쌍겁정체관기술연구
Investigation of InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 391-393 ,共3页

    蔡道民%李献杰%赵永林%刘跳%林涛%江李%马晓宇

    채도민%리헌걸%조영림%류도%림도%강리%마효우

    InP%双异质结晶体管%自对准 InP%雙異質結晶體管%自對準
    InP%쌍이질결정체관%자대준
    介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;
    개소료InP/InGaAs/InP쌍이질결쌍겁정체관(DHBT)재료생장、기건결구여설계、제작공예화성능측시이급재진탕기중적응용등방면적연구.채용발사겁-기겁자대준공예제작료InP/InGaAs/InP DHBT기건,발사겁척촌위1.5μm×10μm적기건소전류직류증익β약25,집전겁-발사겁격천전압BVCEO≥10V,절지빈솔,ft화최고진탕빈솔,fmax분별위50화55GHz;
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