衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响
츤저온도대자공천사담화려박막조성적영향
Effect of Substrate Temperature on the Composition of AIN Thin Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering
  • 万方数据
    材料导报 재료도보
    MATERIALS REVIEW
    2007年 z2期 179-181 ,共3页

    张淑芳%方亮%付光宗%董建新%彭丽萍

    장숙방%방량%부광종%동건신%팽려평

    氮化铝薄膜%磁控溅射%XPS%AFM 氮化鋁薄膜%磁控濺射%XPS%AFM
    담화려박막%자공천사%XPS%AFM
    采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了AlN薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成.结果表明,AlN薄膜主要含有AlN,存在少量Al2O3及一些其它杂质;随着基片温度的升高,AlN薄膜的纯度提高.
    채용고순려파화담/아혼합기분,재파리츤저상용직류반응자공천사법제비료AlN박막,용X사선광전자능보(XPS)분석료불동츤저온도하양품적조성.결과표명,AlN박막주요함유AlN,존재소량Al2O3급일사기타잡질;수착기편온도적승고,AlN박막적순도제고.
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