半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
5期
737-740
,共4页
张磊%杨瑞霞%武一宾%商耀辉%高金环
張磊%楊瑞霞%武一賓%商耀輝%高金環
장뢰%양서하%무일빈%상요휘%고금배
共振隧穿二极管%I-V特性曲线%峰谷电流比%负微分电阻
共振隧穿二極管%I-V特性麯線%峰穀電流比%負微分電阻
공진수천이겁관%I-V특성곡선%봉곡전류비%부미분전조
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达到36.8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.
用分子束外延技術在半絕緣GaAs襯底上生長製備瞭不同結構的AlAs/GaAs/InGaAs兩壘一阱RTD單管.經過材料生長設計和工藝的改進,測得室溫下器件的最高PVCR為2.4,峰值電流密度達到36.8kA/cm2.進行直流參數測試,得到RTD的I-V特性麯線,對量子阱寬度和帽層厚度對I-V特性的影響進行瞭分析.
용분자속외연기술재반절연GaAs츤저상생장제비료불동결구적AlAs/GaAs/InGaAs량루일정RTD단관.경과재료생장설계화공예적개진,측득실온하기건적최고PVCR위2.4,봉치전류밀도체도36.8kA/cm2.진행직류삼수측시,득도RTD적I-V특성곡선,대양자정관도화모층후도대I-V특성적영향진행료분석.
