微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2007年
2期
34-35,40
,共3页
孙莉莉%薛成山%孙传伟%艾玉杰%庄惠照%王福学
孫莉莉%薛成山%孫傳偉%艾玉傑%莊惠照%王福學
손리리%설성산%손전위%애옥걸%장혜조%왕복학
GaN%磁控溅射%线状
GaN%磁控濺射%線狀
GaN%자공천사%선상
通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析.结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm～400 nm左右,其长度可达5μm～20μm.
通過在1 000℃時氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,製備齣成簇生長的光滑的長直線狀GaN.用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和高分辨率電子顯微鏡(HRTEM)對樣品進行測試分析.結果錶明,線狀GaN為六方纖鋅礦結構單晶相,錶麵光滑,且成簇生長,直徑在200 nm～400 nm左右,其長度可達5μm～20μm.
통과재1 000℃시안화Ga2O3/MgO/Si(111)박막15 min,제비출성족생장적광활적장직선상GaN.용X사선연사(XRD)、소묘전자현미경(SEM)화고분변솔전자현미경(HRTEM)대양품진행측시분석.결과표명,선상GaN위륙방섬자광결구단정상,표면광활,차성족생장,직경재200 nm～400 nm좌우,기장도가체5μm～20μm.
