计算机与数字工程
計算機與數字工程
계산궤여수자공정
COMPUTER & DIGITAL ENGINEERING
2007年
2期
176-178
,共3页
共源共栅%偏置跟踪%高压容限%低压CMOS
共源共柵%偏置跟蹤%高壓容限%低壓CMOS
공원공책%편치근종%고압용한%저압CMOS
设计了一种电源输入模块,可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压.该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术,基于0.35μm、5V的低压CMOS工艺,可耐受高达12V的供电电压输入.该模块可用于高度集成的电源管理芯片,使之能适用于多种电源,并能消除瞬态过电压给芯片内部电路带来的影响.
設計瞭一種電源輸入模塊,可承受高達兩倍單管工藝極限電壓的供電電壓.該模塊使用共源共柵結構和偏置跟蹤技術,基于0.35μm、5V的低壓CMOS工藝,可耐受高達12V的供電電壓輸入.該模塊可用于高度集成的電源管理芯片,使之能適用于多種電源,併能消除瞬態過電壓給芯片內部電路帶來的影響.
설계료일충전원수입모괴,가승수고체량배단관공예겁한전압적공전전압.해모괴사용공원공책결구화편치근종기술,기우0.35μm、5V적저압CMOS공예,가내수고체12V적공전전압수입.해모괴가용우고도집성적전원관리심편,사지능괄용우다충전원,병능소제순태과전압급심편내부전로대래적영향.
