半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
58-63
,共6页
黄占超%吴惠桢%劳燕锋%刘成%曹萌
黃佔超%吳惠楨%勞燕鋒%劉成%曹萌
황점초%오혜정%로연봉%류성%조맹
X射线衍射%倒空间mapping%应变%量子阱
X射線衍射%倒空間mapping%應變%量子阱
X사선연사%도공간mapping%응변%양자정
采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.排除了外延层倾斜及应变对确定失配度的影响,准确计算得到InAsP外延层体失配度为1.446%,InGaAsP外延层体失配度为-0.5849%,并且生长了高质量的应变补偿8阱多量子阱.
採用X射線衍射三軸二維倒空間衍射圖研究瞭InP(100)襯底上分子束外延生長的壓應變InAsP材料和張應變InGaAsP材料.實驗測定瞭兩種材料的(004)麵、(224)麵的倒空間衍射圖,得到瞭處于部分弛豫狀態的InGaAsP在不同方嚮呈現不同的應變狀態.排除瞭外延層傾斜及應變對確定失配度的影響,準確計算得到InAsP外延層體失配度為1.446%,InGaAsP外延層體失配度為-0.5849%,併且生長瞭高質量的應變補償8阱多量子阱.
채용X사선연사삼축이유도공간연사도연구료InP(100)츤저상분자속외연생장적압응변InAsP재료화장응변InGaAsP재료.실험측정료량충재료적(004)면、(224)면적도공간연사도,득도료처우부분이예상태적InGaAsP재불동방향정현불동적응변상태.배제료외연층경사급응변대학정실배도적영향,준학계산득도InAsP외연층체실배도위1.446%,InGaAsP외연층체실배도위-0.5849%,병차생장료고질량적응변보상8정다양자정.
