中国有色金属学报
中國有色金屬學報
중국유색금속학보
THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS
2006年
11期
1913-1917
,共5页
熊德赣%刘希从%鲍小恒%白书欣%杨盛良%赵恂
熊德贛%劉希從%鮑小恆%白書訢%楊盛良%趙恂
웅덕공%류희종%포소항%백서흔%양성량%조순
AlSiC电子封装基片%气密性%真空压力浸渗%化学镀镍
AlSiC電子封裝基片%氣密性%真空壓力浸滲%化學鍍鎳
AlSiC전자봉장기편%기밀성%진공압력침삼%화학도얼
采用模压成形制备SiC预制件和真空压力浸渗相结合的技术,成功制备出AlSiC电子封装基片.研究磷酸铝含量和成形压力对SiC预制件抗弯强度和孔隙率的影响规律,并对所制备的AlSiC电子封装基片的性能进行评价.结果表明,在磷酸铝含量为0.8%,成形压力为200 MPa时,经600 ℃恒温2 h处理的SiC预制件抗弯强度为8.46 MPa,孔隙率为37%.当温度为100～500℃时,AlSiC电子封装基片的热膨胀系数介于6.88×10-6和8.14×10-6℃-1之间,热导率为170 W/(m·K),抗弯强度为398 MPa,气密性小于1×10-8Pa·m3/s.用钯盐活化进行化学镀镍,得到光亮、完整的镀层.镀层于450 ℃恒温120 s后,镀层不变色,未见起皮和鼓泡.
採用模壓成形製備SiC預製件和真空壓力浸滲相結閤的技術,成功製備齣AlSiC電子封裝基片.研究燐痠鋁含量和成形壓力對SiC預製件抗彎彊度和孔隙率的影響規律,併對所製備的AlSiC電子封裝基片的性能進行評價.結果錶明,在燐痠鋁含量為0.8%,成形壓力為200 MPa時,經600 ℃恆溫2 h處理的SiC預製件抗彎彊度為8.46 MPa,孔隙率為37%.噹溫度為100～500℃時,AlSiC電子封裝基片的熱膨脹繫數介于6.88×10-6和8.14×10-6℃-1之間,熱導率為170 W/(m·K),抗彎彊度為398 MPa,氣密性小于1×10-8Pa·m3/s.用鈀鹽活化進行化學鍍鎳,得到光亮、完整的鍍層.鍍層于450 ℃恆溫120 s後,鍍層不變色,未見起皮和鼓泡.
채용모압성형제비SiC예제건화진공압력침삼상결합적기술,성공제비출AlSiC전자봉장기편.연구린산려함량화성형압력대SiC예제건항만강도화공극솔적영향규률,병대소제비적AlSiC전자봉장기편적성능진행평개.결과표명,재린산려함량위0.8%,성형압력위200 MPa시,경600 ℃항온2 h처리적SiC예제건항만강도위8.46 MPa,공극솔위37%.당온도위100～500℃시,AlSiC전자봉장기편적열팽창계수개우6.88×10-6화8.14×10-6℃-1지간,열도솔위170 W/(m·K),항만강도위398 MPa,기밀성소우1×10-8Pa·m3/s.용파염활화진행화학도얼,득도광량、완정적도층.도층우450 ℃항온120 s후,도층불변색,미견기피화고포.
